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还在为高压电路中的开关效率发愁吗？STP2N105K5正是为您而来的高效解决方案！这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的击穿电压和仅1.5A的连续漏极电流能力，专为要求苛刻的高压开关应用而设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的开关性能。极低的栅极电荷和输入电容让驱动变得异常轻松，大幅降低开关损耗；同时，优异的导通电阻特性确保了在导通状态下的高效能。这一切，都让您的电源设计无论是开关电源、LED驱动还是工业控制运行得更凉爽、更高效、更可靠，助您轻松提升终端产品的整体性能和市场竞争力。

• 型号:STP2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。