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您正在寻找一颗能扛重任、让系统数据存储高枕无忧的核心器件吗？NAND01GW3A0AN6E就是您的理想伙伴。这颗由ST意法半导体打造的1Gb并行NAND闪存，能以30ns的高速响应，轻松应对您的数据读写需求，确保从工业控制到网络设备的各种应用流畅运行。

它能在-40°C至85°C的宽广温度范围和2.7V-3.6V的电压下稳定工作，环境适应力极强，大幅提升了您终端产品的可靠性。其经典的并行接口和128M x 8bit容量结构，让系统集成变得简单高效，助您快速实现产品开发与量产。

• 型号:NAND01GW3A0AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND01GW3A0AN6E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。