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还在寻找一颗能扛起高电流重任又保持冷静高效的开关核心吗？STP270N04正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的STripFET技术打造，拥有120A的连续漏极电流能力和低至2.9毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在开关和传导过程中的功率损耗，直接提升系统整体效率。

这颗N沟道MOSFET让您能轻松驾驭电机驱动、电源转换等高要求应用。其优化的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，而高达330W的功率耗散能力则提供了充裕的热性能余量。选择它，就是为您的产品注入强劲、可靠且高效的电力脉搏。

• 型号:STP270N04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP270N04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。