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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效转换能量的核心开关？STP26NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和21A的强大电流处理能力，基于意法半导体先进的FDmesh II技术打造，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动设计更简单，开关速度得以提升。高达190W的功率耗散能力和150°C的工作结温，赋予了它出色的热性能与可靠性。无论是用于工业电源、照明镇流器还是电机控制，STP26NM60ND都能让您以更低的系统复杂度，实现更稳定、更耐久的性能输出，是提升产品能效与可靠性的上佳之选。

• 型号:STP26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。