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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STP26N60M2正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和20A的强大电流处理能力，专为应对严峻的开关环境而生。

它的核心使命，就是让您轻松征服能效挑战。通过大幅降低导通电阻和栅极电荷，它能显著减少开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率。这意味着您的电源、电机驱动或照明设备可以运行得更凉爽、更安静，同时获得更高的功率密度。无论是升级现有产品还是开发全新平台，STP26N60M2都能为您提供坚实的性能基础，让高效可靠的电力转换变得触手可及。

• 型号:STP26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。