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还在寻找一颗能扛起大电流、又能保持冷静高效的功率开关吗？STD70N02L-1正是为您而生的解决方案。这颗25V/60A的N沟道MOSFET，凭借其极低的导通电阻（典型值仅8毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高频开关场景。优化的栅极电荷设计确保了快速的开关速度，进一步削减开关损耗，提升整体能效。无论是用于DC-DC转换器、电机控制还是负载开关，它都能提供稳定可靠的性能。其坚固的I-PAK封装和宽广的工作温度范围，更能让您的产品从容应对各种挑战，实现持久的动力输出。

• 制造商产品型号：STD70N02L-1
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET III
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 16V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STD70N02L-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。