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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高压与高电流，且效率出众的功率开关？STP25N60M2-EP正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V/18A的强悍规格，其核心使命就是让您的电源转换和电机控制应用运行得更高效、更凉爽、更可靠。

它凭借低至188毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统整体能效。无论是用于工业驱动还是电源设备，它都能帮助您轻松达成更高的功率密度和性能目标。其坚固的TO-220封装和宽温度工作范围，更是确保了在各种挑战性环境下的长久稳定运行，让您的设计底气十足。

• 型号:STP25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。