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还在为功率转换系统中的损耗和发热问题头疼吗？STF15N60M2-EP就是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和11A的电流处理能力，其核心价值在于让您轻松实现高效的能量控制。极低的导通电阻（仅378毫欧）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷（17nC）则确保了快速、干净的开关动作，从而显著降低开关损耗，全面提升您的电源效率。

它能让您的设计在更宽的频率范围内稳定运行，同时有效控制温升。无论是用于PFC电路、反激式拓扑还是电机驱动，这颗芯片都能帮助您构建出更紧凑、更凉爽、性能更持久的系统。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），更是为产品的长期可靠运行增添了坚实保障。选择它，就是选择让复杂的设计挑战变得简单高效。

• 型号:STF15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。