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您正在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与高可靠性的“心脏”来驱动您的关键设计吗？STP25N10F7正是为此而来。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达100V电压和25A电流，其先进的STripFET VII技术让导通电阻低至惊人水平，显著减少能量损耗和发热，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更冷静、更持久。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率提升专家。极低的栅极电荷让开关速度迅猛无比，大幅降低开关损耗，特别适合高频工作场景。同时，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的TO-220封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定发挥，让您对产品的耐用性充满信心。选择它，就是为您的设计注入一股强劲而可靠的动力。

• 型号:STP25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。