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您是否渴望为您的电源或电机驱动项目注入一颗强大的“心脏”？STP110N10F7正是这样一款能彻底改变您产品性能的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET VII技术，拥有低至7毫欧的超低导通电阻，能轻松驾驭高达110A的连续电流，显著降低系统导通损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计高功率密度应用时充满信心。无论是开关电源、电机控制还是各类功率转换模块，其优异的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关行为，帮助您提升频率、优化效率。TO-220封装提供了可靠的散热路径，结合宽广的工作温度范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定持久地工作。

• 型号:STP110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 110A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP110N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。