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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与超高效率的功率开关吗？STI21N65M5正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh V技术，拥有650V的坚固耐压和17A的连续电流处理能力，而其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更省电。

这颗N沟道MOSFET具备优异的开关特性，帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，优化整体系统成本与尺寸。其通孔I2PAK封装提供了出色的功率耗散能力，确保在高达150°C的结温下稳定工作，为您的产品可靠性保驾护航。

无论是提升现有方案的能效，还是攻克新的设计挑战，STI21N65M5都能让您高效达成目标，是工业电源、新能源及高性能驱动领域不可多得的强大引擎。

• 型号:STI21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI21N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。