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您正在寻找一颗能扛起功率开关重任的“核心引擎”吗？STP22NF03L正是这样一款专为高效能量控制而生的N沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达22A的电流，并以低至50毫欧的导通电阻大幅减少功率损耗，从而显著提升系统的整体能效和热管理表现。

这颗芯片基于STripFET II技术打造，具备快速的开关特性（栅极电荷仅9nC）和高达30V的漏源电压耐受能力。无论是用于构建高效的DC-DC转换器、驱动电机，还是作为可靠的负载开关，它都能确保稳定、精准的功率输出，让您的设计在性能和可靠性上双双赢得优势。

• 型号:STP22NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP22NF03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。