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您正在寻找一颗能兼顾高耐压与高效能的功率开关解决方案吗？STGD3NC120H-1正是意法半导体为您提供的经典选择。它集1200V击穿电压与16A额定电流于一身，让您能轻松驾驭变频驱动、UPS、电焊机等中功率应用场景，实现稳定可靠的能量转换。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅2.8V的低导通压降和优化的开关速度（开启15ns/关闭118ns），显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效。其坚固的TO-251（IPAK）通孔封装和高达150°C的结温工作能力，更能让您的设计应对严苛环境挑战，确保长久稳定运行。

• 型号:STGD3NC120H-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 16A IPAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:105 W
• 开关能量:236J（导通），290J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:24 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns
• 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• STGD3NC120H-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。