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STGP12NB60KD 零件图片(仅供参考)

STGP12NB60KD
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STGP12NB60KD 规格参数

还在寻找一颗能扛起600V/30A重任的可靠“功率开关”吗?STGP12NB60KD正是为您而来!这颗采用经典TO-220封装的IGBT,集成了意法半导体先进的PowerMESH技术,旨在让您的功率转换设计事半功倍。

它能让您轻松驾驭高达125W的功率应用,其低至2.8V的导通压降意味着更少的能量以热量形式浪费,直接提升系统能效。同时,优化的开关特性(栅极电荷54nC)确保了快速响应与较低的开关损耗,让您的逆变器、电机驱动或电源设备运行更高效、更安静。

选择它,就是选择了一个久经沙场、性能均衡的解决方案。即使在150°C的结温下也能稳定工作,为您的产品在严苛环境中的可靠性保驾护航。

  • 型号:STGP12NB60KD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 30A TO-220
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,12A
  • 功率 - 最大值:125 W
  • 开关能量:258J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:54 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/96ns
  • 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):80 ns
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • STGP12NB60KD,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGP12NB60KD 基本参数:

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