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还在寻找那颗能同时征服高电流与高效率的“心脏”吗？STP220N6F7 N沟道功率MOSFET正是您的理想答案。它凭借仅2毫欧的超低导通电阻，让您轻松驾驭高达120A的连续电流，将导通损耗降至最低，从而显著提升电源转换效率，并大幅缓解系统的散热压力。

这颗芯片能为您做什么？它卓越的开关特性（低栅极电荷）让高频操作游刃有余，帮助您的DC-DC转换器、电机驱动或电源模块实现更紧凑的设计和更高的功率密度。其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，让您的产品性能更强劲，寿命更持久。

• 型号:STP220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:237W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP220N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。