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还在为设计复杂、可靠性要求高的半桥驱动电路而头疼吗？让L6571BD来为您轻松化解难题！这颗来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，集成了自举二极管和智能控制逻辑，专为驱动半桥拓扑中的高压N沟道MOSFET或IGBT而优化。它让您仅通过简单的RC网络即可设置振荡频率和死区时间，极大地简化了您的设计流程，并确保了驱动的精准与可靠。

凭借高达600V的自举电压能力和强大的峰值输出电流（拉电流270mA，灌电流170mA），L6571BD能确保您的功率开关在各种工况下都获得快速、有力的驱动，有效降低开关损耗，提升系统整体效率。其宽泛的工作温度范围（-40°C ~ 150°C）和紧凑的8-SOIC封装，更让它能轻松应对严苛的工业环境与紧凑的空间布局要求，是您打造高效、紧凑、可靠电源方案的理想核心之选。

• 型号:L6571BD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6571BD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。