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还在为高压大电流开关应用中的效率损失和散热问题烦恼吗？STP21NM50N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和18A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值190mΩ），能显著减少开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了其在持续高负载下的稳定性和长寿命。无论是用于提升开关电源的功率密度，还是优化电机驱动的响应速度，STP21NM50N都能以卓越的性能，帮助您简化设计、提升产品整体可靠性，是打造高性能、高竞争力功率电子设备的理想基石。

• 型号:STP21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。