我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP20NF06L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流开关重任，同时又易于驱动的功率芯片吗？STP20NF06L正是为您而来！这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，就像一个反应迅速、损耗极低的电子开关。它能轻松承载20A的连续电流，并承受高达60V的电压，是处理电源转换和电机驱动等任务的理想核心。

它的魅力在于高效与可靠的结合。凭借低至70毫欧的导通电阻，它能显著减少导通时的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。优化的栅极特性让驱动电路设计变得简单，帮助您加快开发进度。无论是升级现有产品还是维护经典设计，选择STP20NF06L，就是选择了一份由意法半导体品质背书的高性能保障。

• 型号:STP20NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NF06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。