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当您的设计需要驾驭近千伏的高压，同时承载近20安培的电流时，一颗强大而可靠的开关管就是成功的关键。STP20N95K5正是这样一颗为您赋能的高性能N沟道MOSFET。它基于ST领先的SuperMESH5技术打造，能轻松应对服务器电源、工业驱动、新能源逆变等高要求场景，让您的系统在高压下依然保持高效、低温与稳定。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅330毫欧的低导通电阻，大幅降低功率损耗，直接提升整体能效，让热量不再是困扰。同时，优化的动态参数助力实现更快的开关速度，减少开关损耗，提升功率密度。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种严苛环境中持久可靠地工作，让您专注于核心创新，无后顾之忧。

• 型号:STP20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20N95K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。