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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的功率开关吗？STP200NF03正是为您而来！这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的120A连续电流能力和低至3.6毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高、发热更少。

它专为30V及以下的高电流应用优化，无论是同步整流、电机控制还是功率开关，都能轻松胜任。高达300W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的稳定输出。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的强劲动力。

• 型号:STP200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200NF03，ST（意法半导体）产品一站式供应商。