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还在为半桥电路驱动设计费时费力？L6387E正是为您解忧的得力助手！这颗高性能半桥栅极驱动器，能轻松驾驭IGBT和N沟道MOSFET，凭借高达600V的隔离电压和强劲的650mA/400mA输出电流，让您的功率开关管动作既迅速又可靠，极大提升电源转换效率。

它内置完善的保护逻辑和反相输入，专为防范桥臂直通而优化，确保系统运行安全无忧。无论是电机控制、电源转换还是工业照明，L6387E都能以卓越的驱动性能和宽泛的工作温度（-45°C ~ 125°C），助您轻松构建稳定、高效的电力核心，大幅缩短开发周期，让创意更快落地成真。

• 型号:L6387E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• L6387E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。