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您正在设计需要处理大功率的电机控制、电源转换或负载开关应用吗？STP200N6F3正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达120A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的3.9毫欧超低导通电阻。这意味着在开关和导通状态下，它能将能量损耗降至极低，让您的系统运行得更高效、更凉爽。

更低的损耗直接转化为更高的效率和更简单的热管理设计。无论是驱动工业电机、构建紧凑型电源，还是管理电池系统，STP200N6F3都能让您轻松应对高电流挑战，提升产品整体可靠性和功率密度，助您打造出性能出众且极具市场竞争力的终端产品。

• 型号:STP200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200N6F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。