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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STP80N70F4正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有68V耐压和85A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的9.8毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用了ST先进的STripFET技术，优化了开关性能，帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。无论是用于工业电源、电机控制还是功率转换，STP80N70F4都能提供稳定可靠的性能，让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STP80N70F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N70F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。