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还在为高压大功率应用中的开关损耗和热管理头疼吗？让STP18NM80成为您的高效能量指挥官！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和17A的强大电流吞吐能力，核心使命就是让您的电源转换、电机驱动或照明系统运行得更冷静、更高效。

它凭借先进的MDmesh技术，实现了极低的导通电阻（典型值295毫欧），这意味着电流通过时的能量损耗大幅减少，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，优化的开关特性让您能轻松提升工作频率，设计出更小巧、性能更强劲的解决方案。其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，是您打造高可靠性产品的理想基石。

• 型号:STP18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。