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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、强韧性和易驱动性的高压开关管吗？STP18N65M2正是为您而来。这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V耐压和12A电流能力，其核心使命是让您的电源转换过程损耗更低、发热更少。它凭借仅330毫欧的超低导通电阻，大幅削减导通损耗，直接提升系统能效。

更令人惊喜的是，它优化的栅极电荷和电容特性，让开关动作干净利落，显著降低开关损耗，并简化您的驱动电路设计。无论是面对频繁开关的挑战，还是需要处理持续大电流，STP18N65M2都能以卓越的热性能和TO-220封装的坚固可靠性，确保系统长期稳定运行。选择它，就是为您的设计注入高效与安心的双重保障。

• 型号:STP18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。