我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） SCT20N120现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为提升电源转换效率而烦恼吗？SCT20N120正是为您破局而生的利器。这颗由ST意法半导体推出的碳化硅（SiC）FET，集1200V高压耐受与20A强劲电流于一身，让您的设计轻松应对高效服务器电源、快速电动汽车充电及紧凑型太阳能逆变器等高端应用场景。

它采用先进的HiP247封装，具备优异的散热能力，结温工作范围宽至-55°C至200°C，确保系统在恶劣环境下稳定运行。其极低的栅极电荷和导通电阻，能显著降低开关与传导损耗，让您的产品不仅效率更高、发热更少，还能实现更小的体积与更轻的重量，全面提升市场竞争力。

• 型号:SCT20N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:175W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT20N120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。