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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP180N55F3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有55V耐压和高达120A的连续电流处理能力，其核心魅力在于低至3.8毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用体验。优化的栅极电荷（100nC）让开关速度更快，驱动更轻松，直接助力提升整体能效和功率密度。无论是用于工业变频器、大功率DC-DC转换，还是UPS电池保护，它都能提供稳定可靠的性能。强大的330W耗散功率和坚固的TO-220AB封装，让您在设计高可靠性产品时信心十足。

• 型号:STP180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP180N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。