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还在为电源设计的效率瓶颈和散热挑战寻找突破口吗？STL130N6F7就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有130A的强大电流处理能力和低至3.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET F7技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关速度迅捷，更能节省宝贵的电路板空间。无论是提升服务器电源的能效，还是强化电动工具的爆发力，它都能让您轻松实现更高功率密度和更可靠的设计，助您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STL130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL130N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。