我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP17NF25现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要高效功率切换的电路吗？STP17NF25正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有250V的耐压和17A的连续电流处理能力，能轻松担当起开关电源、电机控制等应用中的核心开关角色。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。得益于STripFET II技术，其导通电阻低至165毫欧，配合仅29.5nC的栅极电荷，让您能够大幅降低系统的发热与开关损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行得更凉爽、更节能。TO-220AB封装确保了强大的散热能力，宽达-55°C至150°C的工作温度范围则赋予了它应对各种环境挑战的可靠性。

简而言之，STP17NF25能让您以更简单的设计，实现更高效率、更可靠的功率转换，是提升产品市场竞争力的理想选择。

• 型号:STP17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP17NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。