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您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压平台，同时保持高效与可靠的功率开关吗？STP17N80K5正是为此而生。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达14A的连续漏极电流和超低的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它具备快速开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您能在各种严苛环境下实现稳定、快速的功率控制。无论是提升能效等级、缩小产品体积，还是增强系统可靠性，选择它，都能让您的设计目标轻松达成。

• 制造商产品型号：STP17N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：866pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：170W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP17N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。