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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，还能保持冷静高效的功率开关吗？STB24N60DM2正是您的理想之选。这颗采用先进FDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和18A电流处理能力，其核心价值在于极低的200毫欧导通电阻和优化的栅极电荷。这意味着它能为您大幅降低导通与开关损耗，直接提升系统整体效率，让热量管理变得更轻松。

无论是用于PFC电路、电机驱动还是开关电源，STB24N60DM2都能让您的设计更加游刃有余。其稳健的D2PAK封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围，保障了系统在各类环境下的长期可靠运行。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因，让您能够更专注于系统创新，快速响应市场挑战。

• 型号:STB24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。