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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP17N62K3正是为此而来。这颗基于意法半导体先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的坚固耐压和15.5A的强大电流吞吐能力，其超低的导通电阻（仅380毫欧）能显著减少功率损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更节能。

它集成了出色的开关特性与热性能，高达190W的功率耗散能力配合TO-220AB封装，让散热设计变得轻松。无论是应对复杂的工业环境还是追求极致的能效标准，STP17N62K3都能成为您电路中可靠而高效的能量控制核心，助您轻松构建更稳定、更耐用的高性能产品。

• 型号:STP17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP17N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。