我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP16N50M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极高开关效率的“心脏”吗？STP16N50M2正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和13A的连续电流能力，其核心价值在于让您的电源转换或电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

得益于ST先进的MDmesh M2技术，它在10V驱动电压下，导通电阻低至280毫欧，栅极电荷也仅为19.5nC。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您轻松提升整体能效，并简化驱动电路的设计。无论是应对-55°C到150°C的宽温工作挑战，还是借助TO-220封装实现稳健的散热，它都旨在为您的应用提供持久可靠的动力支持。

• 型号:STP16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16N50M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。