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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP160N3LL正是为您而来的解决方案。它凭借N沟道设计和先进的STripFET H6技术，在30V电压下可轻松驾驭高达120A的连续电流，而其惊人的3.2毫欧超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。它拥有优化的开关特性，栅极电荷低至42nC，让驱动更简单、开关更迅速，有效降低开关损耗。无论是用于构建高效的同步整流电路、驱动强劲的直流电机，还是打造高密度的DC-DC电源模块，STP160N3LL都能提供稳定可靠的性能，其TO-220封装确保了出色的散热能力，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借高效、可靠的动力核心脱颖而出。

• 型号:STP160N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP160N3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。