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您正在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流，又能保持冷静高效的功率开关吗？STB30NF20正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有200V的漏源电压和30A的连续电流能力，让您在设计电机驱动、电源转换等应用时底气十足。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。仅75毫欧的最大导通电阻，能显著减少导通状态下的功率浪费，直接提升系统效率并缓解散热压力。同时，优化的栅极电荷特性助力实现快速开关，进一步降低动态损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种挑战性环境下的长期稳定运行。

简而言之，STB30NF20旨在让您的功率电路设计变得更简单、更高效、更可靠。选择它，就是选择用一颗强大的“芯”，释放您产品的全部潜能。

• 型号:STB30NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。