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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF11N65K3正是您的理想伙伴。这颗采用N沟道技术和TO-220FP封装的MOSFET，拥有650V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，专为 demanding 的功率转换应用而设计。

它的核心价值在于意法半导体独有的SuperMESH3技术，这使其导通电阻显著降低。这意味着在您构建的电源或电机驱动系统中，电能传输的损耗更小，发热量更低，从而让整体能效轻松跃升一个新台阶。优化的栅极特性让驱动设计更简单，帮助您实现更高频率的开关操作，打造出更紧凑、更高效的解决方案。

• 型号:STF11N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。