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还在寻找一颗能兼顾高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STL34N65M5 N沟道MOSFET正是为您而生的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，拥有650V的高耐压和仅120毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片能轻松应对高达22.5A的连续电流，其优化的动态特性（如低栅极电荷）让开关速度更快，从而减少开关损耗。采用紧凑的PowerFlat封装，既节省空间又利于散热。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高密度电源，STL34N65M5都能让您以更少的功耗，释放更大的功率，是您实现高性能、高可靠性设计的理想选择。

• 型号:STL34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。