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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关吗？STP13NM60ND正是为您而来！这颗基于FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和11A的连续电流能力，其核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它凭借低至380毫欧的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统整体能效。无论是构建紧凑型适配器、工业电源，还是驱动电机，它都能让您轻松实现更高的功率密度和可靠性，简化您的热设计挑战。

• 型号:STP13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。