我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGWT15H60F现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关吗？STGWT15H60F正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的沟槽型场截止IGBT，集600V高耐压、30A强电流与低导通损耗于一身，旨在让您的能量转换系统运行得更冷静、更高效。

它能让您轻松应对变频驱动、UPS电源等应用中的开关挑战。其优异的开关速度和低栅极电荷特性，显著降低了开关损耗，提升系统整体效率。同时，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的TO-3P封装，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，极大增强了您产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STGWT15H60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-3P
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:136J（导通），207J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:81 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns
• 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT15H60F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。