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还在寻找一颗能轻松驾驭高压、大电流任务的功率开关核心吗？STP13NK50Z正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的坚固耐压和11A的强大电流通过能力，源自ST意法半导体先进的SuperMESH技术家族，专为要求苛刻的高压应用而生。

它能为您做什么？它能让您的开关电源、电机驱动或照明系统运行得更高效、更凉爽。其优化的480毫欧典型导通电阻（@10V）结合较低的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接提升整体能效。高达140W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，则确保了系统在各种工况下的长期稳定与可靠。选择它，就是为您的设计选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:STP13NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。