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您是否渴望一款能在高压环境下依然保持高效、低温运行的功率开关？STP13N65M2正是为您实现这一目标的利器。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和10A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通与开关损耗，能显著提升电源转换效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

得益于ST先进的MDmesh M2技术，它在提供强大功率处理能力的同时，还具备优异的动态特性。这意味着您可以轻松应对电机驱动、电源适配器、PFC电路等应用中的挑战，实现更紧凑、更可靠的设计。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:STP13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。