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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或驱动电路吗？STP20N90K5正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体MDmesh K5系列的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和20A的连续电流能力，让您能轻松应对工业电源、电机驱动等应用中的高压开关挑战。

它的核心使命是让您的系统更高效、更可靠。凭借先进的超结技术，它实现了极低的导通电阻（RDS(on)）和优化的开关特性，这直接意味着更少的能量损耗和更低的发热。无论是提升电源转换效率，还是增强电机控制的响应速度，STP20N90K5都能助您一臂之力，其稳健的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，确保了在各种环境下都能持久稳定地工作。

• 型号:STP20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。