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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关解决方案？STP13N60DM2正是为您而来！这颗基于ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和11A的连续漏极电流能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时，能够轻松应对高电压输入和大功率输出的严苛要求。

它的核心价值在于卓越的效率表现。极低的导通电阻（典型值365毫欧）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷和电容特性则带来了更快的开关速度和更低的开关损耗。这直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效，让您的终端产品不仅运行更稳定、更凉爽，还能显著节省能源成本。选择STP13N60DM2，就是为您的产品注入高效可靠的动力核心。

• 制造商产品型号：STP13N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：365 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：730pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP13N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。