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您是否正在为高功率应用中的开关损耗和发热问题而烦恼？让STP130N10F3来为您解决！这颗强大的N沟道MOSFET核心使命，就是让您的电源转换和电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。它凭借仅9.6毫欧的超低导通电阻，能大幅减少电流通过时的能量损耗，直接提升系统效率，并让散热设计变得更为轻松。

同时，其优化的57nC低栅极电荷，意味着它开关迅速、驱动损耗小，让您能构建更高频、更高效的电路拓扑。无论是处理高达120A的连续电流，还是应对100V的电压环境，它都能稳定胜任，其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种严苛条件下的长期可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的强劲动力与能效保障。

• 型号:STP130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP130N10F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。