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还在为功率开关的效率瓶颈寻找突破口吗？STL100N12F7就是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有120V耐压和100A的强大电流处理能力，其核心魅力在于仅7.5毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的大电流应用，如电机控制、电源转换或负载开关中，它能显著减少能量损耗，将更多电能高效转化为有用功，直接提升整机效率并降低温升。

它采用先进的STripFET F7技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关性能优异、栅极驱动简单，更能让您的设计更加小巧精悍。无论是追求极致的功率密度，还是需要应对复杂的热挑战，STL100N12F7都能让您轻松构建更高效、更可靠、更具竞争力的电力电子系统。

• 制造商产品型号：STL100N12F7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：120V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3300pF @ 60V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：136W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）
• STL100N12F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。