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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“功率开关”吗？STW55NM60ND就是您值得信赖的伙伴！它基于意法半导体成熟的FDmesh II技术，为您提供高达600V的击穿电压和51A的连续电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或逆变器时，对高压侧开关充满信心。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效。极低的导通电阻（仅60毫欧@10V）意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的系统运行更高效、更凉爽。同时，它坚固的TO-247封装和宽泛的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定性和可靠性，大大简化您的散热设计和系统维护工作。

• 型号:STW55NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW55NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。