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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持极高开关效率的“核心开关”吗？STP11NM60ND正是为您而来！这颗意法半导体FDmesh II系列的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景设计。

它能为您做什么？核心在于其超凡的低损耗特性。极低的导通电阻（Rds(on)）让电流通过时的发热大幅减少，而优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速、干净的开关动作。这意味着，在您的电源、电机驱动或照明应用中，它可以显著降低能量损耗，提升整体系统效率，同时优异的导热封装（TO-220AB）让热量管理变得轻松，保障系统长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了高效能与高可靠性并重的强大心脏。

• 型号:STP11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。