我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP80N20M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任、同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STP80N20M5正是为此而生。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和高达61A的电流处理能力，其核心魅力在于仅23毫欧的超低导通电阻，能大幅减少功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让电能转换更“干脆利落”。

它专为应对挑战性应用而优化。极低的栅极电荷和优化的电容特性，让您能轻松实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小的磁性元件，助力设计出更紧凑、功率密度更高的产品。无论是驱动电机、管理电源，还是处理功率转换，STP80N20M5都能提供强劲、可靠的开关性能，助您轻松构建高效稳定的电力系统。

• 型号:STP80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N20M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。