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还在为高压开关应用的效率和可靠性头疼吗？让STB4NK60ZT4来为您解决！这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和4A的电流能力，能轻松应对开关电源、电机驱动等场景中的高压切换任务。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅2欧姆@10V）和栅极电荷，这意味着更少的导通损耗和开关损耗，从而让您的系统运行更高效、发热更少。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，散热性能优异，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作，大幅提升您产品的长期可靠性和功率密度。

• 型号:STB4NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB4NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。