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还在为高压应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STP11N52K3正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有525V的高耐压和10A的强电流处理能力，专为要求严苛的功率开关场景而生。

它采用先进的SuperMESH3技术，能为您带来极低的导通电阻和开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围，更能确保您的设计在各种环境下都稳定可靠，轻松应对挑战。

• 型号:STP11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。